절연 게이트 양극성 트랜지스터

개 요
소수 매개체의 주입으로 MOSFET보다 동작 저항을 작게 할 수 있는 3단자 양극성 MOS 복합 반도체 소자이다. 고내압이면서 비교적 고속의 파워 트랜지스터로써, PWM 제어 인버터에 내장되어 모터를 구동하는 외에 파워 집적회로의 출력부 등에 사용된다.
IGBT는 MOSFET를 대체하기 위해 탄생하였으며, MOSFET는 전자 또는 정공의 단일 매개체 소자이기 때문에 항복전압을 높이거나 전류량을 높이는데 한계가 있었다.
때문에 IGBT는 MOSFET의 이러한 단점을 보완하고 높은 항복전압과 전류를 얻고자 개발
되었다. 하지만, IGBT는 전자와 정공의 두가지 매개체를 모두 사용하게 되는데 이로 인해
비능동 상태 전이시간이 MOSFET에 비해 길다는 단점이 있다.

특 성