금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터

개 요
산화 절연층으로 보통은 이산화규소 절연층을 가진 FET의 한 종류이다.
게이트는 반도체 내에 있는 유출원 전도 채널과 산화 절연층에 의해 분리되어 있다.
입력 전하량을 충전시키거나 제거할 펄스 정도의 게이트 입력 전압을 필요로 한다.
양극성 트랜지스터보다 적은 전력으로 작동할 수 있다.

특 성